新闻|Weekly News

来源:本站   作者:letry    发布时间: 2022-05-13 14:58:35   浏览:

1.高塔半导体临时股东大会通过英特尔收购

4月25日，高塔半导体发布新闻稿，其临时股东大会上，公司股东批准与英特尔的收购。不过，该交易仍需获得某些监管部门的批准和惯例成交条件。

今年2月15日，英特尔宣布，将以每股53美元的现金收购高塔半导体，交易总金额约为54亿美元，并预计整个交易将在12个月内完成。

资料显示，高塔半导体是知名的模拟半导体解决方案代工厂，其生产的半导体和电路广泛应用于汽车、消费产品、医疗和工业设备等领域。在以色列、美国及日本设立共计7座厂房，整体12英寸约当产能占全球约3%。其中，以8英寸产能较多，占全球8英寸产能约6.2%。

近年来，英特尔积极强化晶圆代工业务，并于2021年初提出了IDM2.0战略，随后更是宣布了多项晶圆厂新建计划，而收购高塔半导体也是其扩大晶圆代工业务影响力的重要举措，推进IDM2.0战略。

（来源：全球半导体观察/JSSIA整理）

2.半导体材料国产化趋势明显

据SEMI报道：2021年世界半导体材料市场为643亿美元，较2020年的555亿美元增长15.9%，其中：晶圆制造材料市场为404亿美元，同比增长15.5%，封装材料市场为239亿美元，同比增长16.5%。

据JSSIA分析整理，2021年，中国半导体材料市场销售额达到1013亿元人民币，同比增长14.5%。中国大陆继续成为全球第二大半导体材料市场，但中国产能占比仅13%到15%，仍有很大的提升空间。

半导体材料国产化趋势明显。半导体核心材料技术壁垒极高，国内绝大部分产品自给率较低，市场被美国、日本、欧洲、韩国和中国台湾地区的海外厂商所垄断。目前，国内半导体材料企业仅在部分领域实现自产自销，并在靶材、电子特气、CMP抛光材料等细分产品已经取得较大突破，各主要细分领域国产替代空间广阔。核心技术的不断突破，预计2022年半导体材料国产化趋势将更加明显。

随着摩尔定律发展趋缓，通过先进封装技术来满足系统微型化、多功能化成为了集成电路产业发展的新引擎。先进封装占比将逐步超越传统封装，先进封装材料成为主流。封装基板已经逐渐取代传统引线框架成为主流封装材料，正朝着高密度化方向发展。未来先进封装可以通过小型化和多集成的特点显著优化芯片性能和继续降低成本，未来封装技术的进步有望成为芯片性能提升的重要途径。

（来源：协会秘书处）

3.迈凌科技38亿美元收购慧荣科技

5月5日，美企MaxLinear（迈凌科技）与中国台湾NAND闪存控制器大厂Silicon Motion（慧荣科技）宣布，迈凌将以现金加股票的方式收购慧荣，作价38亿美元。

双方在声明中表示，迈凌科技以每股美国存托股票114.34美元的价格收购慧荣。这次出价比慧荣在4月22日的收盘价溢价48%。合并后公司企业价值将达80亿美元。在这项并购案中，慧荣科技的每股美国存托股票(相当于慧荣科技的4股普通股) 将获得93.54美元现金和0.388股迈凌科技普通股。

迈凌科技于2003年在美国加州成立，目前的产品包括网络接入、无线Wi-Fi、电源管理、4G/5G基建等。

根据官网显示，慧荣科技生产用于固态存储设备的NAND闪存控制器。它还提供数据中心以及专业的工业和汽车固态驱动器。慧荣科技于1995年在加利福尼亚州圣何塞成立，在中国台湾、香港地区和美国设有公司办事处。该公司报告称，截至12月31日的三个月净收入为6060万美元，比第三季度增长9.4%。

（来源：集微网）

4.中欣晶圆大直径硅片外延项目正式封顶

5月8日下午，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司大直径硅片外延项目封顶。

丽水中欣晶圆外延项目总投资40亿元，将在经开区首期建设年产120万片8英寸（以特殊需求外延片为主）、年产240万片12英寸外延片，未来可扩产至8英寸年产240万片、12英寸年产360万片，全部达产后年产值50亿元左右。

日前，丽水中欣晶圆外延项目正式纳入2022年浙江省重点建设项目计划。

（来源：JSSIA整理）

5.南京盛鑫大尺寸硅外延材料产业化项目正式开工

中电材料官微消息，近日，南京盛鑫半导体材料有限公司在南京江宁综合保税区举行了“大尺寸硅外延材料产业化项目”的开工仪式。

据了解，南京盛鑫“大尺寸硅外延材料产业化项目”位于江宁区综合保税区内征地约160亩，将分两期实施，项目一期投资136000万元，建设8-12寸硅外延材料和第三代化合物外延材料产业基地，项目建成将对加速完善半导体产业链的配套和带动地方经济发展有着重大意义。

（来源：中电材料）

6.Soitec发布八英寸SiC晶圆

近日，设计和制造创新半导体材料的行业***Soitec宣布，已发布其**200毫米碳化硅SmartSiC晶圆。

据报道，其200mm尺寸的SmartSiC衬底来自Soitec在格勒诺布尔CEA-Leti的衬底创新中心的试验线。该版本使Soitec能够展示200毫米SmartSiC晶圆的质量和性能，并进行**轮关键客户验证。

Soitec于2022年3月在法国Bernin4启动了新晶圆厂的建设。该晶圆厂主要致力于制造150毫米和200毫米的SmartSiC晶圆，预计将于2023年下半年投入运营。

据介绍，新产线将使用Soitec专利的SmartCut技术来生产创新型SmartSiC™优化衬底，该种衬底由Soitec位于格勒诺布尔的CEA-Leti的衬底创新中心研发。目前，Soitec已经与主要的碳化硅器件制造商展开基于SmartSiC合作，预测将于2023下半年开始实现该产品的盈利。

（来源：半导体行业观察）

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