新闻|Weekly News

来源:本站   作者:letry    发布时间: 2022-05-20 11:33:18   浏览:

1.联发科发布AIoT平台Genio 1200

5月11日，联发科宣布推出Genio智能物联网AIoT平台新品Genio 1200。该款产品采用台积电6nm制程，集成高性能八核CPU、五核GPU、双核AI处理器APU和先进的多媒体引擎，支持新的多媒体标准和4K显示，主要用于智能家居、工业物联网应用和AI嵌入式设备。

MediaTek Genio平台是具备灵活性、可扩展性的解决方案，客户可以根据不同产品需求匹配芯片，并使用MediaTek开发者资源和开放平台SDK进行定制设计。

据了解，Genio 1200适用于高端智能物联网AIoT应用，具备高集成度和可扩展性，支持多种高速接口，如：PCI-Express、USB 3.1和GbE MAC，支持MediaTek Wi-Fi 6E和Sub-6 5G模块。

（来源：集微网）

2.芯华章发布数字验证调试系统

2022年5月11日，芯华章正式发布基于创新架构的数字验证调试系统——昭晓Fusion DebugTM。

据介绍，昭晓Fusion DebugTM采用完全自研的高性能数字波形格式XEDB。该波形格式借助创新的数据格式和架构提供的高效编码和压缩方案，在实际测试中可以带来比国际主流数字波形格式超8倍的压缩率。与其它商业波形格式相比，XEDB的读写速度快至3倍，并支持分布式架构，可充分利用多台机器的物理资源来提升整体系统的性能，实测中表现出的波形写入速度可以比单机模式提高5倍以上。

在提供完整调试解决方案的同时，昭晓Fusion DebugTM能够支持统一且高性能的编译，快速加载仿真结果和信号显示，轻松进行信号连接跟踪和根本原因分析。根据实际项目数据显示，在完整的设计及原理图模块化加载中，昭晓Fusion DebugTM的速度比其他商用EDA工具快至5倍，能满足大规模SoC设计调试的需求，并大大提高了验证效率，从而加速芯片设计创新。

（来源：芯思想/JSSIA整理）

3.SK海力士在大连建设新的存储晶圆厂

SK海力士非易失性存储器制造项目16日在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

2020年，总部位于韩国的半导体企业SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。2021年底，SK海力士完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的**阶段，从英特尔手中接管了SSD业务及其位于大连的NAND闪存制造厂的资产。

为加快推动项目发展，SK海力士决定在大连继续扩大投资并建设新工厂，该项目位于大连金普新区，将建设一座新的晶圆工厂用于生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

SK海力士半导体(中国)总裁郑银泰表示，SK海力士将中国视为重要的合作伙伴，并始终保持着同中国的友好合作关系。在大连新建NAND闪存工厂的同时，SK海力士还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充，并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。

（来源：中国新闻网）

4.华虹半导体科创板上市获董事会批准

5月13日，华虹半导体披露，公司拟发行不超过约4.34亿新股计划并计划赴上交所科创板上市。

根据华虹半导体的公告，2022年5月12日董事会已批准建议人民币股份发行、特别授权及相关事宜(包括建议修订章程细则)，但仍需等待股东特别大会上批准以及取得必要监管批准。

华虹半导体将发行的人民币股份数目不超过约4.34亿新股，即不超过人民币股份发行完成后公司经扩大股本的25%，其中人民币股份发行仅以发行新股的方式进行。

对于所筹集的资金用途，其中70%(125亿人民币) 投资于华虹制造无锡项目；11%(20亿)用于8英寸晶圆厂房优化升级项目；12%(25亿元)用于工艺技术创新研发项目；6%(10亿元)用于补充营运资金。

华虹半导体董事会表示，人民币股份发行将使该公司能通过股本融资进入中国资本市场，从而拓宽公司的筹资渠道及股东基础，并改善公司的资本结构，此外，这也能够进一步加强本集团的财务状况，以满足一般企业用途及营运资金需求。

（来源：JSSIA整理）

5.恩智浦半导体拟26亿美元在美国德州扩建芯片厂

日前，恩智浦半导体与德州奥斯汀独立学区（Austin Independent School District）董事会成员举行会议，讨论透过斥资26亿美元扩建芯片厂与增加800个就业职缺，以换取减税措施。

奥斯汀独立学区发言人Jason Stanford称，将在两周内表决恩智浦是否能继续申请减税，即313章协议。

恩智浦发言人Jacey Zuniga则表示，公司也在考虑其他城市作为扩厂选址，预估在今年第四季*初*终决定并于2024年开始动工建设。

据悉，恩智浦为汽车、电话与工业设备制造芯片，该公司在美国已有4座晶圆厂，其中两座位于奥斯汀。

（来源：SEMI）

6.美光宣布推出232层3D NAND Flash

5月12日，美光宣布推出具有232层的3D NAND存储器。该公司计划将其新的232层3D NAND产品用于包括固态驱动器在内的各种产品，并计划有时在2022年末开始增加此类芯片的生产。

美光的232层3D NAND设备采用3D TLC架构，原始容量为1Tb。该芯片基于美光的CMOS阵列下(CuA)架构，并使用NAND串堆叠技术在彼此之上构建两个3D NAND阵列。

美光没有公布其新型232L 3D TLC NANDIC的I/O速度或平面数量，但暗示新内存将提供比现有3D NAND设备更高的性能，这对于下一代SSD尤其有用具有PCIe5.0接口的SSD特别有用。

（来源：EETOP/JSSIA整理）

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